Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов

Описание и характеристики Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов

Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста.
Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации.
Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.

Для приобретения Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов от «Лань» арт. 4962858 выберите желаемое количество единиц и кликните на красную кнопку "Купить". Далее товар будет перемещён в корзину. После выбора всех выбранных позиций перейдите в корзину в правом верхнем углу страницы и завершите оформление заказа. При оформлении вам будет предложено выбрать способ доставки Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов в Санкт-Петербурге и Ленинградской области и оплаты из доступных вариантов.